RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
66
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1934
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link