RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
57
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2253
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link