RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
25.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
87
Rund um -248% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
19.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
4167
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link