RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
87
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3035
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link