RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
87
Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3035
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link