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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2180
3768
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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