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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1930
1865
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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