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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Compara
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1930
1865
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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