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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Compara
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1930
1988
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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