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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 12.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1930 left arrow 1988

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