RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,285.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En -143% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,165.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,285.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
2527
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905295-015.B00LF 1GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link