RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2527
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link