RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2620
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link