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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Compara
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
95
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
3.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
95
44
Velocidad de lectura, GB/s
4.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
3.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
635
1499
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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