ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB против Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Причины выбрать
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Сообщить об ошибке

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 95

Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10 4.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.3 3.1

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

95 44
Скорость чтения, Гб/сек

4.2 10.0
Скорость записи, Гб/сек

3.1 6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

635 1499

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905622-058.A00G 8GB

Kingston 9905622-058.A00G 8GB

модули RAM