RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3724
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link