Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

総合得点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

19 28

周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.7 12.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.4 7.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 8500

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 19
読み出し速度、GB/s

12.7 20.7
書き込み速度、GB/秒

7.5 16.4
メモリ帯域幅、mbps

8500 17000

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1988 3724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

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Kingston HX318C10FK/4 4GB

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Kingston 9905703-008.A00G 16GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

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AMD AE34G2139U2 4GB

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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

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Kingston K531R8-MIN 4GB

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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB

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Kingston K1N7HK-ELC 2GB

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