RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
25
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
25
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2889
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link