RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3257
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link