RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3257
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link