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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3147
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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