RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3147
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link