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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
19200
En 1.22 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
23400
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
2709
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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