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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
19200
Autour de 1.22 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
15.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
23400
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3867
2709
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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