RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2801
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link