RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2808
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link