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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2346
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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