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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2910
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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