RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link