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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
37
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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