RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link