RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link