RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link