RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link