RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
1997
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link