Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB

Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 42
    Intorno 33% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 11.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 8.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.4 left arrow 11.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2329 left arrow 1997
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti