RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link