RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link