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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3428
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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