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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
62
En -158% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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