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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
62
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
36
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2899
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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