RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link