RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3104
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link