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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
62
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
40
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1785
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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