RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
62
En -148% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
25
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link