RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link