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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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