RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
62
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
34
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link