Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 30
    En 7% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.4 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 7.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 8500
    En 2.26 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 17.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1668 left arrow 3310
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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