Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Wokół strony 7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.4 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.9 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8500
    Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 17.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 12.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1668 left arrow 3310
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania