RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
4069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link